按EMC (電磁兼容)的原理把信息系統(tǒng)所在建筑物或構(gòu)筑物按需要保護(hù)的空間由外到內(nèi)分為不同的雷電防護(hù)區(qū)(LPZ),以確定各LPZ空間的雷擊電磁脈沖的強(qiáng)度及應(yīng)采取的防護(hù)措施。雷電防護(hù)區(qū)可分為:

    直擊雷非防護(hù)區(qū)(LPZ 0a) :本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。本區(qū)內(nèi)的各類(lèi)物體完全暴露在外部防雷裝置的保護(hù)范圍之外,都可能造到直接雷擊;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)未得到任何屏蔽衰減，屬完全  暴露的不設(shè)防區(qū)。

    LPZ0A-天空、 沒(méi)有避雷針保護(hù)的大樓外部面沒(méi)有頂棚等覆蓋物的地面..等 等雷電可能會(huì)直接擊中的的空間。如大樓頂部避雷針保護(hù)范圍之外的空間。

   直擊雷防護(hù)區(qū)(LPZ 0B) :本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的  店雷電流直接雷擊但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。本區(qū)內(nèi)的各類(lèi)物體處在外部防雷  LP21裝置保護(hù)范圍之內(nèi),應(yīng)不可能遭到大于所選滾球半徑雷電流直接雷擊;但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)未得到任何屏蔽衰減，屬充分暴露的直擊雷防護(hù)區(qū)。

   LPZ0B-一沒(méi)有避雷針保護(hù)的非屏蔽大樓內(nèi)部、有避雷針保護(hù)的大樓天臺(tái)受保護(hù)部分、避雷線下的電纜等等雷電不易直接擊中的LEMP沒(méi)有衰減空間。如大樓頂部避雷針保護(hù)范圍之內(nèi)的空間和沒(méi)有屏蔽的大樓內(nèi)部或有屏蔽大樓內(nèi)部的窗口附近。適用于一級(jí)防雷器 OMP-APK15（25/50）/(4/2)

   第一屏蔽防護(hù)區(qū)(LPZ1) :本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各類(lèi)導(dǎo)體的電流比LPZ 0B區(qū)進(jìn)一步減小;且由于建筑物的屏蔽措施，本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度也已得到了初步的衰減。
 LPZ1一雷電不易直接擊中, 但LEMP因屏蔽而衰減的空間。如上述屏蔽大樓內(nèi)部(不包含窗口附近)。適用于一級(jí)防雷器 OMP-APK15（25/50）/(4/2)

 

 第二屏蔽防護(hù)區(qū)(LPZ 2) :為進(jìn)一步減小所導(dǎo)引的電流或電磁場(chǎng)而增設(shè)的后續(xù)防護(hù)區(qū)。適用于二級(jí)防雷器 OMP-APM40(60/80/100/120)/(4/2)

  LPZ2-在LPZ1區(qū)內(nèi), 再次屏蔽的空間。如上述屏蔽大樓的另外設(shè)立的屏蔽網(wǎng)絡(luò)中心。

  第三屏蔽防護(hù)區(qū)(LPZ3) :需要進(jìn)一步減小雷擊電磁脈沖,以保護(hù)敏感設(shè)備的后續(xù)防護(hù)區(qū)。適用于三級(jí)防雷器 OMP-APM20/2
  LPZ3-在LPZ2區(qū)內(nèi), 再次屏蔽的空間。如上述屏蔽網(wǎng)絡(luò)中心內(nèi)的機(jī)器金屬外殼內(nèi)部,或接地的機(jī)柜內(nèi)部。